I nanofili di silicio (SiNWs) sono strutture con diametri che possono variare da qualche decina a qualche centinaia di nanometri, e lunghezze che vanno da poche centinaia di nanometri a millimetri. I SiNWs sono realizzati presso i laboratori dell'IMM-CNR, sezione di Roma, con tecnologie di tipo bottom-up, come la deposizione PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition), a temperature di crescita sufficientemente basse (≤350°C) da essere compatibili con substrati plastici o vetrosi. Possiedono una chimica facile da controllare in fase di fabbricazione, pertanto la loro conducibilità elettrica può essere modulata mediante drogaggio in modo da ottenere conduzione sia di tipo p che n. Inoltre sono state messe a punto procedure per decorare tali strutture con nanoparticelle (dimensioni di qualche decine di nanometri) o strati sottili (centinaia di nanometri) di Au e Ag permettendo l’utilizzo dei SiNWs sia come microelettrodi, capaci di catturare i segnali extracellulari di cellule neuronali, che come piattaforme di Raman Imaging capaci di amplificare i segnali provenienti da biomolecole (DNA, proteine ecc.).
I processi di fabbricazione delle strutture proposte sono basati su un approccio di tipo bottom-up a bassa temperatura garantendo così bassi costi di produzione ed una reale scalabilità di tale piattaforma rispetto a strutture dello stesso tipo ottenute tramite più sofisticate tecnologie top-down, che prevedono l’utilizzo di strumentazione costosa e con bassi throughput. Questo permette un buona flessibilità nella progettazione e realizzazione di dispositivi innovativi che sfruttano un’efficace interfaccia nanostrutturata per applicazioni biosensoristiche, diagnostiche e teranostiche.