I nanofili di silicio (SiNWs) sono strutture con diametri che possono variare da qualche decina a qualche centinaia di nanometri, e lunghezze che vanno da poche centinaia di nanometri a millimetri. I SiNWs sono realizzati presso i laboratori dell'IMM-CNR, sezione di Roma, con tecnologie di tipo bottom-up, come la deposizione PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition), a temperature di crescita sufficientemente basse (≤350°C) da essere compatibili con substrati plastici o vetrosi.
Tecnologie
In questa sezione è possibile visionare, anche attraverso ricerche mirate, le tecnologie presenti nel Database di PROMO-TT. Per maggiori informazioni sulle tecnologie e per contattare i Team di Ricerca del CNR che le hanno sviluppate è necessario rivolgersi al Project Manager (vedi i riferimenti in fondo a ogni scheda).
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La presente tecnologia ha come oggetto la fabbricazione mediante manifattura additiva di gioielli in lega a memoria di forma (SMA). Nei laboratori di Lecco dell’istituto ICMATE, sono stati realizzati dei prototipi di anello in lega NiTi a memoria di forma per mezzo di un processo additivo a letto di polvere (selective laser melting).
L’ottimizzazione dei processi metallurgici risulta oggi cruciale per la progettazione e sviluppo di materiali avanzati in grado di operare e resistere in condizioni estremamente aggressive quali quelle di impianti di produzione di energia, fonti rinnovabili, reattori nucleari di nuova generazione, elettronica avanzata, trasporto a terra, avionica e aerospazio, catalisi, biomedicali, ecc.
I quarzi di tipo a tuning fork sono impiegati nella microscopia a scansione di forza atomica (AFM), e alcune tecniche derivate, come sensori ad elevata sensibilità delle interazioni, sia di tipo conservativo che dissipativo, della sonda nanometrica del microscopio AFM con la superficie in indagine. Tuttavia, nella risposta del sensore i contributi dei due tipi di interazione risultano convoluti, non consentendo di effettuare misure pienamente quantitative delle grandezze di interesse.