Tecnologie

I nanofili di silicio (SiNWs) sono strutture con diametri che possono variare da qualche decina a qualche centinaia di nanometri, e lunghezze che vanno da poche centinaia di nanometri a millimetri. I SiNWs sono realizzati presso i laboratori dell'IMM-CNR, sezione di Roma, con tecnologie di tipo bottom-up, come la deposizione PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition), a temperature di crescita sufficientemente basse (≤350°C) da essere compatibili con substrati plastici o vetrosi.

L'invenzione consiste in un metodo di regolazione degli assi orizzontali della mola operatrice e della mola conduttrice di una rettificatrice senza centri accoppiato con un profilo speciale della lama di supporto del pezzo, che permette una regolazione continua dell'angolo di appoggio della lama (angolo tra la tangente al profilo della lama nel punto di contatto con i pezzo e il piano orizzontale, denotato con γ) e dell'altezza del pezzo (denotata con hw), senza richiedere la sostituzione della lama stesso e/o regolazioni manuali.