Tecnologie

I nanofili di silicio (SiNWs) sono strutture con diametri che possono variare da qualche decina a qualche centinaia di nanometri, e lunghezze che vanno da poche centinaia di nanometri a millimetri. I SiNWs sono realizzati presso i laboratori dell'IMM-CNR, sezione di Roma, con tecnologie di tipo bottom-up, come la deposizione PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition), a temperature di crescita sufficientemente basse (≤350°C) da essere compatibili con substrati plastici o vetrosi.

Lo sviluppo di nuovi materiali con emissione nel vicino infrarosso (NIR, 700-1000 nm) rappresenta un importante ed indispensabile obbiettivo nel progresso tecnologico di componenti attivi per dispositivi OLED (anche flessibili), nei sistemi di sorveglianza, per la guida autonoma, nei sensori per visione notturna, nelle telecomunicazioni in fibra ottica e nei sistemi medicali. Per tutti questi campi manca ancora una tecnologia elettronica di riferimento OLED-NIR.

La tecnologia proposta si basa sul concetto di Power-Over-Fibre (PoF), che prevede la trasmissione di dati e potenza su una fibra ottica. Questa tecnologia è adatta per le applicazioni in cui il tradizionale cablaggio in rame è poco pratico o indesiderabile. Questo è il caso dei pantografi, dove esiste una grande differenza di potenziale tra la catenaria e la terra, e quindi qualsiasi contatto elettrico deve essere evitato per motivi di sicurezza. Inoltre, i pantografi operano in un ambiente con interferenze elettromagnetiche (EMI) molto elevate.