I nanofili di silicio (SiNWs) sono strutture con diametri che possono variare da qualche decina a qualche centinaia di nanometri, e lunghezze che vanno da poche centinaia di nanometri a millimetri. I SiNWs sono realizzati presso i laboratori dell'IMM-CNR, sezione di Roma, con tecnologie di tipo bottom-up, come la deposizione PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition), a temperature di crescita sufficientemente basse (≤350°C) da essere compatibili con substrati plastici o vetrosi.
Tecnologie
In questa sezione è possibile visionare, anche attraverso ricerche mirate, le tecnologie presenti nel Database di PROMO-TT. Per maggiori informazioni sulle tecnologie e per contattare i Team di Ricerca del CNR che le hanno sviluppate è necessario rivolgersi al Project Manager (vedi i riferimenti in fondo a ogni scheda).
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L’innovativo dispositivo di manipolazione – micro-gripper – permette la presa tramite vuoto di micro-componenti ed integra un originale sistema per supportarne il rilascio. La manipolazione di componenti millimetrici e sub-millimetrici può presentare delle problematiche solitamente non osservabili per componenti di dimensioni maggiori. Infatti, a causa delle dimensioni ridotte, le forze di adesione superficiale diventano predominanti rispetto alla forza di gravità, rendendo la manipolazione complicata e imprevedibile.
La presente tecnologia ha come oggetto la fabbricazione mediante manifattura additiva di gioielli in lega a memoria di forma (SMA). Nei laboratori di Lecco dell’istituto ICMATE, sono stati realizzati dei prototipi di anello in lega NiTi a memoria di forma per mezzo di un processo additivo a letto di polvere (selective laser melting).
Il principio di funzionamento della giunzione VTTJ è estremamente semplice. Due parti (almeno una di forma tubolare) sono avvitate una nell’altra con una certa interenza meccanica che crea una guarnizione metallica. Una parte presenta una cava cilindrica, la seconda presenta un anello conico, il cui diametro è leggermente maggiore di quello della cava cilindrica. Quando le due parti sono avvitate insieme, c’è una deformazione plastica nella regione di interferenza meccanica.
L'invenzione consiste in un metodo di regolazione degli assi orizzontali della mola operatrice e della mola conduttrice di una rettificatrice senza centri accoppiato con un profilo speciale della lama di supporto del pezzo, che permette una regolazione continua dell'angolo di appoggio della lama (angolo tra la tangente al profilo della lama nel punto di contatto con i pezzo e il piano orizzontale, denotato con γ) e dell'altezza del pezzo (denotata con hw), senza richiedere la sostituzione della lama stesso e/o regolazioni manuali.
L’infrastruttura NanoMicroFab consente di supportare le aziende operanti nell’ambito della micro e nanoelettronica attraverso la fornitura di materiali, lo sviluppo di processi e dispositivi, la progettazione e la caratterizzazione di materiali e dispositivi.
L’ottimizzazione dei processi metallurgici risulta oggi cruciale per la progettazione e sviluppo di materiali avanzati in grado di operare e resistere in condizioni estremamente aggressive quali quelle di impianti di produzione di energia, fonti rinnovabili, reattori nucleari di nuova generazione, elettronica avanzata, trasporto a terra, avionica e aerospazio, catalisi, biomedicali, ecc.