I nanofili di silicio (SiNWs) sono strutture con diametri che possono variare da qualche decina a qualche centinaia di nanometri, e lunghezze che vanno da poche centinaia di nanometri a millimetri. I SiNWs sono realizzati presso i laboratori dell'IMM-CNR, sezione di Roma, con tecnologie di tipo bottom-up, come la deposizione PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition), a temperature di crescita sufficientemente basse (≤350°C) da essere compatibili con substrati plastici o vetrosi.
Tecnologie
In questa sezione è possibile visionare, anche attraverso ricerche mirate, le tecnologie presenti nel Database di PROMO-TT. Per maggiori informazioni sulle tecnologie e per contattare i Team di Ricerca del CNR che le hanno sviluppate è necessario rivolgersi al Project Manager (vedi i riferimenti in fondo a ogni scheda).
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La presente invenzione ha per obiettivo un dispositivo scintigrafico modulare, ad elevata risoluzione spaziale, in grado di realizzare aree di indagine di varie forme e dimensioni, di forma compatta e di essere utilizzato in diverse tipologie di applicazioni.
La costante richiesta di dispositivi elettronici sempre più potenti ed efficienti dal punto di vista energetico rispetto a quelli esistenti sta sfidando gli scienziati e le aziende a sviluppare soluzioni innovative in grado di soddisfare tali esigenze tecnologiche primarie.
La tecnologia che si sta sviluppando aggiungerà capacità polarimetriche a camere ad immagine nel visibile e vicino ultravioletto, fornendo un dispositivo in grado di misurare simultaneamente i diversi stati di polarizzazione della luce incidente, senza bisogno di polarizzatori esterni. Ciò verrà realizzato aggiungendo degli strati sottili di materiali organici nanostrutturati in grado di assorbire luce con diversi stati di polarizzazione e di convertirli in diversi colori.
L’ottimizzazione dei processi metallurgici risulta oggi cruciale per la progettazione e sviluppo di materiali avanzati in grado di operare e resistere in condizioni estremamente aggressive quali quelle di impianti di produzione di energia, fonti rinnovabili, reattori nucleari di nuova generazione, elettronica avanzata, trasporto a terra, avionica e aerospazio, catalisi, biomedicali, ecc.
La presente invenzione ha per oggetto una gamma camera per uso intracavitario che trova ampia applicazione nel campo della chirurgia radioguidata (intraoperatoria e laparoscopica e robotica assistita) per la localizzazione di linfonodi e tumori e/o di altre patologie. Compito tecnico della presente invenzione risulta dunque essere quello di mettere a disposizione una gamma camera intracavitaria in grado di superare gli inconvenienti dell’attuale arte nota.
Gli specchi per applicazioni spaziali, oltre ad offrire le necessarie caratteristiche ottiche, devono essere leggeri, resistenti alle sollecitazioni meccaniche del viaggio, ed insensibili alle escursioni termiche legate ai cicli luce-ombra. I materiali ottici standard soddisfano facilmente i requisiti ottici e termici, ma sono fragili, e necessitano di alti spessori (normalmente 1/6 del diametro).
La NIRS è una tecnica non invasiva per l’imaging della corteccia cerebrale umana basata sullo studio di luce NIR emessa da opportuni sorgenti ottiche poste sulla testa del paziente e retrodiffusa in superficie dopo il passaggio attraverso i tessuti cerebrali. La NIRS misura la percentuale di emoglobina ossigenata e ridotta presente nel sangue e permette dunque l’imaging funzionale della corteccia cerebrale in tempo reale, anche in modalità tomografica (Diffuse Optical Tomography – DOT).
La tecnologia proposta si basa sulla micro-fabbricazione di elettrodi capaci di generare onde acustiche superficiali (SAW) con frequenze ben definite, su substrati piezoelettrici. Il principio di funzionamento di un sensore ad onde acustiche superficiali è legato alla variazione delle caratteristiche dell’onda acustica che si propaga sul dispositivo (es. velocità dell’onda sul substrato, ecc.) causata dell’interazione con l’ambiente che lo circonda (es. interazione di un analita sulla superficie del dispositivo, deformazione del substrato stesso, ecc.).