Tecnologie

I nanofili di silicio (SiNWs) sono strutture con diametri che possono variare da qualche decina a qualche centinaia di nanometri, e lunghezze che vanno da poche centinaia di nanometri a millimetri. I SiNWs sono realizzati presso i laboratori dell'IMM-CNR, sezione di Roma, con tecnologie di tipo bottom-up, come la deposizione PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition), a temperature di crescita sufficientemente basse (≤350°C) da essere compatibili con substrati plastici o vetrosi.

La presente invenzione ha per obiettivo un dispositivo scintigrafico modulare, ad elevata risoluzione spaziale, in grado di realizzare aree di indagine di varie forme e dimensioni, di forma compatta e di essere utilizzato in diverse tipologie di applicazioni.

La tecnologia proposta offre un metodo innovativo e versatile per rilevare cricche e difetti nei materiali isolanti di dispositivi polarizzati elettricamente, ad esempio rivestimenti e depositi dielettrici su metalli, specialmente in ambienti con gas a bassa pressione. Utilizza un plasma ionizzato che interagisce uniformemente con la superficie isolante, permettendo di rilevare difetti invisibili a occhio nudo. Il rilevamento avviene in un singolo test senza modificare le condizioni ambientali e senza rischiare scariche elettriche dannose.

Presso IFN-CNR, in collaborazione con Politecnico di Milano-dipartimento di Fisica, abbiamo sviluppato approcci di microscopia Raman compatibili con lo studio e la caratterizzazione di campioni di interesse biologico e industriale. In dettaglio la nostra struttura ospita un microscopio Raman spontaneo confocale autocostruito e con le seguenti caratteristiche: due laser di eccitazione (660nm e 785nm), microscopio invertito (Olympus IX-73) e accoppiato a spettrometro/CCD Princeton.

La tecnologia che si sta sviluppando aggiungerà capacità polarimetriche a camere ad immagine nel visibile e vicino ultravioletto, fornendo un dispositivo in grado di misurare simultaneamente i diversi stati di polarizzazione della luce incidente, senza bisogno di polarizzatori esterni. Ciò verrà realizzato aggiungendo degli strati sottili di materiali organici nanostrutturati in grado di assorbire luce con diversi stati di polarizzazione e di convertirli in diversi colori.

La presente invenzione ha per oggetto una gamma camera per uso intracavitario che trova ampia applicazione nel campo della chirurgia radioguidata (intraoperatoria e laparoscopica e robotica assistita) per la localizzazione di linfonodi e tumori e/o di altre patologie. Compito tecnico della presente invenzione risulta dunque essere quello di mettere a disposizione una gamma camera intracavitaria in grado di superare gli inconvenienti dell’attuale arte nota.

Presentiamo una tecnologia per l’isolamento multiscala (analitica-di laboratorio-di produzione) di Vescicole Extracellulari (VE), che supera le limitazioni dei metodi attualmente disponibili.

Recentemente, è stato dimostrato che la spettroscopia Raman può svolgere un ruolo fondamentale per coadiuvare il lavoro dell’anatomopatologo permettendo di effettuare classificazione di campioni oncologici con accuratezza praticamente del 100% nella diagnosi oncologica.

La presente tecnologia si basa su un impianto modellistico in grado di fornire con elevata accuratezza la probabilità di essere asmatico. Tale probabilità si basa sulla valutazione della funzionalità respiratoria: più specificatamente la capacità vitale forzata espiratoria nel primo secondo (FEV₁) in condizioni di riposo e dopo 20 minuti dalla somministrazione di un farmaco broncodilatatore.

La NIRS è una tecnica non invasiva per l’imaging della corteccia cerebrale umana basata sullo studio di luce NIR emessa da opportuni sorgenti ottiche poste sulla testa del paziente e retrodiffusa in superficie dopo il passaggio attraverso i tessuti cerebrali. La NIRS misura la percentuale di emoglobina ossigenata e ridotta presente nel sangue e permette dunque l’imaging funzionale della corteccia cerebrale in tempo reale, anche in modalità tomografica (Diffuse Optical Tomography – DOT).